产品特性
- 基于Shack-Hartmann微透镜阵列传感原理，单次采集获取全孔径波前分布，无须逐点扫描，测量RMS重复性<0.3nm
- 输出SFQR（前参考点位平整度）、SBIR（背参考点位平整度）、SORI、Warp等SEMI M1标准参数，兼容主流晶圆厂验收规范
- 波前分解支持至Zernike第37项（8阶），可单独输出离焦、像散、彗差、球差等各项像差贡献，用于工艺溯源分析
- 支持200mm与300mm晶圆，全片扫描时间<60s（200mm），<120s（300mm），载台定位重复精度<0.5μm
- 内置温度补偿与振动隔离，保证在产线环境下的长期测量稳定性，漂移量<0.1nm/hour
应用场景
- 晶圆制造商的平整度出厂检测：SFQR、Warp按SEMI M1规范量化输出，支持良品/不良品自动分拣
- CMP工艺监控：研磨后全片平整度图及局部形变分布，用于识别抛光均匀性问题与靶点漂移
- 薄膜应力表征：沉积前后Warp差值测量，计算等效薄膜双轴应力（Stoney方程），精度<5MPa
- 先进封装键合前平整度控制：TSV减薄后晶圆及载体晶圆的形貌检测，确保键合间隙均匀性
技术参数
测量RMS精度< 1nm
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RMS重复性< 0.3nm (3σ)
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测量范围（Warp）±500μm
空间分辨率≤ 5mm（位点）
全片扫描时间< 60s（200mm）
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长期漂移< 0.1nm/hour
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表示该参数支持定制化
核心优势
- 单次采集全孔径波前，无须逐点扫描
- 输出SFQR/SBIR/SORI/Warp，兼容SEMI M1规范
- Zernike 37项分解，支持工艺溯源
- 温度补偿与振动隔离，漂移<0.1nm/hour
- RMS重复性<0.3nm (3σ)，产线级稳定性