产品特性
- 采用多模态同轴/斜射照明与高分辨率线阵传感器，在全晶圆扫描中实现亚微米级颗粒与图案缺陷的稳定检出
- 基于CNN的缺陷分类模型，对划痕、颗粒污染、图案桥接、开路等典型缺陷类型的分类准确率>98%，经产线验证
- 缺陷坐标输出精度<2μm（3σ），支持与晶圆厂MES/SPC系统的标准化数据接口（SEMI E30/E40兼容）
- 支持200mm及300mm晶圆，载台重复定位精度<1μm，配备FOUP接口支持全自动晶圆传输
- 检测配方可按照工艺节点、缺陷规格与误报率要求独立调优，支持多配方切换与版本管理
应用场景
- 集成电路制造前道工序质量控制：光刻后检测、CMP工后检测、扩散工序颗粒监控
- MEMS与功率半导体制造：深刻蚀工序后的图案完整性检测与颗粒来源追溯
- 晶圆厂设备工程（EE）：新工艺引入阶段的缺陷基线建立与工艺窗口监控
- 先进封装：RDL层及重布线结构的缺陷检测与良率分析
技术参数
最小可检测缺陷≥ 0.5μm
晶圆尺寸200mm, 300mm
检测速度< 45s/片（200mm）
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坐标输出精度< 2μm (3σ)
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载台重复定位< 1μm
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缺陷分类准确率> 98%
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表示该参数支持定制化
核心优势
- 亚微米级稳定检出，无需逐批调参
- CNN分类模型准确率>98%，经产线验证
- FOUP全自动传片，兼容SEMI E30/E40接口
- 多配方版本管理，支持工艺切换
- 缺陷坐标精度<2μm (3σ)，支持精确复检