产品特性
- 反射光谱法膜厚测量，测量范围覆盖50nm–20μm，精度±0.5nm（1σ），适用于单层及多层胶膜
- 高分辨率线扫成像，空间分辨率≥2μm，实现生产线100%全片覆盖，旋涂条纹、边缘珠及颗粒均可稳定检出
- 光谱与图像数据融合，可同时输出局部膜厚分布图（SFD）与缺陷位置坐标，支持工艺闭环反馈
- 模块化设计，可部署于涂胶机出口至软烘板之间，机械接口兼容主流涂胶显影机（TEL、DNS等平台）
应用场景
- 硅基及化合物半导体（GaN、SiC）晶圆光刻前道涂胶质量监控：旋涂条纹、边缘珠、气泡的在线检出
- TFT-LCD及OLED面板基板光刻胶涂层检测，支持G4.5至G8.5基板尺寸
- MEMS工艺：厚胶（>10μm）的旋涂均匀性与缺陷检测，保障深刻蚀图案转移精度
- 先进封装RDL工艺：临时键合胶层及RDL光刻胶的厚度均匀性与缺陷监控
技术参数
空间分辨率≥ 2μm
膜厚测量精度± 0.5nm (1σ)
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膜厚测量范围50nm – 20μm
扫描速度≥ 150mm/s
晶圆尺寸150mm, 200mm, 300mm
重复性< 0.3% (3σ)
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表示该参数支持定制化
核心优势
- 光谱+图像双模融合，同步输出SFD与缺陷坐标
- ±0.5nm膜厚精度，100%晶圆全片覆盖
- 模块化设计，兼容主流TEL/DNS涂胶机接口
- 支持工艺闭环反馈，缩短异常响应时间
- 厚胶（>10μm）与薄胶全覆盖测量范围